特許

J-GLOBAL ID：200903031379009644

半導体装置とその製造方法

発明者： 国分 崇
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-167866
公開番号（公開出願番号）：特開平6-013354
出願日： 1992年06月25日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：

【要約】【構成】半導体基板上に形成された第1の配線層、前記第1の配線層上に形成された第1の絶縁膜、前記第1の絶縁膜の上に形成された第2の配線層、前記第2の配線層の上に形成された第2の絶縁膜、前記第1の配線層上と前記第2の配線層上に形成されたホール、前記第1の配線層上と前記第2の配線層上に形成されたホールの面積が異なることを特徴とする。また、前記ホールを形成するドライエッチング方法において、前記エッチングガスに一般式がCXFYで表わされるガスと一般式がCXHYFZで表わされるガスを用いることを特徴とする。【効果】ホール面積を変えるだけで、第1の配線層上と第2の配線層上に形成するホールのオーバーエッチング量の差を小さくし、第2の配線層を抜けてしまうホール形成を防止することができる。また、従来シリコン酸化膜をエッチングしているエッチングガスや装置でホール形成を行うことができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された第1の配線層、前記第1の配線層上に形成された第1の絶縁膜、前記第1の絶縁膜の上に形成された第2の配線層、前記第2の配線層の上に形成された第2の絶縁膜、前記第1の配線層上と前記第2の配線層上に形成されたホール、前記第1の配線層上と前記第2の配線層上に形成されたホールの面積が異なることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/90