半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：後藤洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-190907
公開番号（公開出願番号）：特開平11-040819
出願日： 1997年07月16日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：

【要約】【課題】ノーマリオンのSITでは電圧増幅率が大きく、ノーマリオフのSITでは阻止電圧が大きいSITを提供する。【解決手段】ドレイン領域を構成する基板1と、基板1の上に形成されたチャネル領域を含む半導体層2と、半導体層2の表面に形成された第1のゲート領域4とを有する半導体装置において、半導体層2の内部であってかつ第1のゲート領域4の下部に、第2のゲート領域8を配置した。

請求項（抜粋）：

ドレイン領域を構成する基板と、この基板の上に形成されたチャネル領域を含む半導体層と、この半導体層の表面に形成された第1のゲート領域とを有する半導体装置において、上記半導体層の内部であってかつ上記第1のゲート領域で制御されるチャネル領域の下部に、第2のゲート領域を配置したことを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭52-122089
特開昭64-019778
特開昭52-122089

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