特許
J-GLOBAL ID:200903031388551745
半導体封止用エポキシ組成物
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-190396
公開番号(公開出願番号):特開平6-037212
出願日: 1992年07月17日
公開日(公表日): 1994年02月10日
要約:
【要約】【目的】 半導体装置の半田付け工程において樹脂とチップの界面剥離および樹脂パッケージのクラック発生を抑えて信頼性の向上を得、なおかつ成形性に優れ、さらに発熱量の大きな半導体や自動車のエンジンまわりなど150〜200°Cになる高温環境下での信頼性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供することにある。【構成】 エポキシ樹脂、硬化剤、充填剤、変性スチレン系ブロック共重合体およびハイドロタルサイト系化合物を必須成分として含有してなる樹脂組成物であって、変性スチレン系ブロック共重合体がスチレン系ブロック共重合体に不飽和カルボン酸またはその誘導体を共重合またはグラフト反応させたものであり、ハイドロタルサイト系化合物を0.01〜10重量%含有することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。【効果】 成形性、半田耐熱性に優れ、高温、耐湿信頼性にも優れることから工業的に有用である。
請求項(抜粋):
エポキシ樹脂(A)、硬化剤(B)、充填剤(C)、変性スチレン系ブロック共重合体(D)およびハイドロタルサイト系化合物(E)を必須成分として含有してなる樹脂組成物であって、変性スチレン系ブロック共重合体(D)がスチレン系ブロック共重合体に不飽和カルボン酸またはその誘導体を共重合またはグラフト反応させたものであり、ハイドロタルサイト系化合物(E)を0.01〜10重量%含有することを特徴とする半導体封止用エポキシ組成物。
IPC (6件):
H01L 23/29
, H01L 23/31
, C08K 3/26 NKV
, C08L 51/00 LKP
, C08L 53/00 LLZ
, C08L 63/00 NJN
引用特許:
審査官引用 (4件)
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特開平4-050257
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特開平3-255154
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特開昭54-031500
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