特許
J-GLOBAL ID：200903031390782118
半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-275802
公開番号（公開出願番号）：特開平7-130690
出願日： 1993年11月04日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：
【要約】【目的】 本発明は半導体装置における半導体基板の平坦加工を行う場合の半導体装置の製造方法に関し、安定した化学反応と研磨加工、及び処理時間、工数の削減による低コスト化、制御の簡易化による低コスト化を図ることを目的とする。【構成】 処理槽32内に研磨布34が設けられた定盤33が配置され、定盤33の周囲に溶剤38a,38bを一旦保持するリング35が設けられる。また、半導体基板37をチャッキングした回転ヘッド36が定盤33上に配置され、その近傍に溶剤38aを供給する第1のノズル39、温度調節された溶剤38bを供給する第2のノズル40、及び化学反応による温度上昇を検出する温度センサ45を設ける構成とする。
請求項（抜粋）：
配線層及び絶縁層が形成される半導体基板(37)であって、回転部(36)に取り付けられ、処理槽(32)内の回転自在な定盤(33)上の研磨部材(34)で化学反応研磨のための溶剤(38a,38b)を供給しつつ機械的研磨が行われる該半導体基板(37)を使用する半導体装置の製造方法において、前記半導体基板(37)の前記研磨部材(34)上での研磨の際に、研磨部分で前記溶剤(38a,38b)を所定量保持させつつ供給する工程と、該研磨部分の温度を測定する工程と、測定温度に応じて、温度の異なる他の溶剤を供給する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 321
, H01L 21/304
, H01L 21/68
