特許
J-GLOBAL ID：200903031391257882
コンタクト形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小橋 一男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-014388
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045456
出願日： 1993年02月01日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】高分解能なホトリソグラフィ技術を使用して、例えばコンタクト開口などの集積回路装置の特徴部をパターン形成する技術を提供する。【構成】高度に選択的にエッチング出来る物質から構成される薄い層を層間誘導体層14上に付着して平坦化する。これは層14に対しハードマスクとして作用する。ホトレジスト層22をこのマスク層16上に形成しパターンを形成し、層16を層14を介してコンタクトホール20をエッチングして開口するパターンとして使う。開口後にこの底部にある導電性領域12は開口時に別のレジストで充填して保護して、レジスト層22により改善された分解能を与える。
請求項（抜粋）：
集積回路装置用のコンタクト形成方法において、導電性要素の上に誘電体層を形成し、前記誘電体層上にハードマスク層を形成し、前記ハードマスク層上に比較的薄いホトレジスト層を形成し、尚前記ホトレジスト層は前記ハードマスク層をマスクするのに十分な厚さを有しており、前記ホトレジスト層をマスクとして使用して前記ハードマスク層を貫通して開口をエッチング形成し、前記ハードマスク層をマスクとして使用して前記導電性要素の一部を露出させるために前記誘電体層を貫通してビアをエッチング形成し、前記ビアを保護用のプラグで少なくとも部分的に充填し、前記ハードマスク層を除去し、その場合に前記保護用プラグが前記露出された導電性要素部分を保護する、上記各ステップを有することを特徴とする方法。
IPC (4件)：
H01L 21/90
, H01L 21/28 301
, H01L 21/027
, H01L 21/302
