特許

J-GLOBAL ID：200903031394140145

半導体基板および半導体装置の各製造方法

発明者： 滝澤 律夫
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-270257
公開番号（公開出願番号）：特開平9-115848
出願日： 1995年10月18日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：

【要約】【課題】 効果的に結晶起因の欠陥や、不純物汚染等に関連した素子特性の改善をはかることができるシリコン半導体基板およびこれによる半導体装置を得ることのできるようにする。【解決手段】 熱中性子/高速中性子の存在比が、30より大で1,000未満である中性子照射炉を用いてシリコン単結晶体に中性子照射を行ってシリコン基板による半導体基板を得る。

請求項（抜粋）：

熱中性子/高速中性子の存在比が、30より大で1,000未満である中性子照射炉を用いてシリコン単結晶体に中性子照射を行ってシリコン基板を得ることを特徴とする半導体基板の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/261 ,  C30B 29/06 ,  C30B 31/20 ,  H01L 21/322 ,  H01L 27/148

FI (5件)：

H01L 21/26 N ,  C30B 29/06 B ,  C30B 31/20 ,  H01L 21/322 Y ,  H01L 27/14 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

• シリコンウェーハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-232480   出願人：三菱マテリアル株式会社, 三菱マテリアルシリコン株式会社
• 特開昭56-080139
  
• 特開昭62-112364