特許
J-GLOBAL ID：200903031401545326
対向マグネトロン複合スパッタ装置および薄膜形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-361042
公開番号（公開出願番号）：特開平11-193459
出願日： 1997年12月26日
公開日（公表日）： 1999年07月21日
要約：
【要約】【課題】 従来不可能であった周辺部のスパッタ効率を高め、より高速でターゲット利用効率を高めること。ターゲット中心部への磁束の集中がなく、アーク放電の少ない安定したスパッタを長時間持続すること。【解決手段】 スパッタ面が対向するように配置されたターゲットと、該ターゲットの背面に設けられた前記スパッタ面に垂直な方向に磁界を発生させるための磁界発生手段とを備え、スパッタ面の側方の空間に対面するように配置してある基板上に膜を形成する対向マグネトロン複合スパッタ装置において、一対の対向する第1、第2ターゲットを所定の間隔で対向する同心形状でスパッタ面が外側ターゲットの内面および内側ターゲットの外面で磁界発生手段が内側ターゲットから外側ターゲットへ放射状に発生させる手段を有し、スパッタ面の片側一方の該空間に対向するように無終端形状の第3のターゲットを配置したことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
第1のターゲットの無終端の外壁面からなる第1のスパッタ面に、第2のターゲットの無終端の対向壁面からなる第2のスパッタ面が対向するように該第1および第2のターゲットを配設するための対向ターゲット配置手段と、前記第1のスパッタ面と前記第2のスパッタ面との間の空間に対向して第3のスパッタ面が位置するように第3のターゲットを配置するためのターゲット配置手段と、前記第1のターゲットと前記第2のターゲットと前記第3のターゲットで囲まれた空間の開口に対向して基板を配置するための基板保持部材と、前記第1および第2のスパッタ面に垂直な方向に磁界を発生させるための磁界発生手段とを有する対向マグネトロン複合スパッタ装置であって、前記第1および第2のターゲットのスパッタ面で対向放電を形成させるための第1の電力供給手段と、前記第3のターゲットの前記第3のスパッタ面でマグネトロンを形成させるための前記第1の電力供給手段と独立して電力を供給する第2の電界供給手段とを有することを特徴とする対向マグネトロン複合スパッタ装置。
IPC (3件)：
C23C 14/35
, H01L 29/786
, H01L 21/336
C23C 14/35 Z
, H01L 29/78 616 K
, H01L 29/78 617 J
, H01L 29/78 627 Z
