特許

J-GLOBAL ID：200903031401823830

CVD装置及び膜の形成方法

発明者： 上田 路人 ,  大塚 隆
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-191240
公開番号（公開出願番号）：特開2001-023975
出願日： 1999年07月06日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
要約：

【要約】【課題】 原料ガスの上流側と下流側とで原料ガスの分解の不均一に起因する組成の均一性の悪化を防止しうるCVD装置及び膜の形成方法を提供する。【解決手段】 CVD装置71の反応炉73には、Siウェハ75を保持する温度緩衝板74と、その下方に配置された円状の第1の加熱機構77と、第1の加熱機構77を囲むリング状の第2の加熱機構78と、BST膜を形成するための原料ガスを導入するための導入口85と、排気口87とが設けられている。原料ガスの流れの上流側に位置するSiウェハ75の中心部を第1の加熱機構57により600°Cに加熱する一方、原料ガスの流れの下流側に位置するSiウェハ75の周辺部を第2の加熱機構78により615°Cに加熱する。原料ガスの流れにおける下流側の加熱温度を上流側よりも高くすることにより、Siウェハ75上のBST膜の上流側と下流側とにおける膜の組成の不均一を改善する。

請求項（抜粋）：

被処理物の主面上に膜を形成するCVD処理を行なうための反応炉と、分解して多元系材料の膜を形成するための原料ガスを上記反応炉内に導入するための原料導入部と、上記原料導入部とは離間して設けられ、反応炉内を排気するための排出部と、上記反応炉内における上記原料導入部から上記排出部に至る原料ガスの流れに上記被処理物の主面がさらされるように、上記被処理物を取り付けるための被処理物載置部と、上記被処理物の主面の複数の部分を互いに異なる温度に加熱するための同数の加熱機構とを備えているCVD装置。

IPC (9件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/46 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (6件)：

H01L 21/31 B ,  C23C 16/46 ,  H01L 21/316 X ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371

Fターム (30件)：

4K030AA11 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030GA02 ,  4K030JA10 ,  4K030KA24 ,  4K030KA41 ,  4K030LA02 ,  5F001AA17 ,  5F001AG21 ,  5F001AG30 ,  5F045AA03 ,  5F045AA04 ,  5F045AB31 ,  5F045AC07 ,  5F045DP04 ,  5F045EK22 ,  5F045EK30 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BF06 ,  5F058BG03 ,  5F083AD11 ,  5F083FR00 ,  5F083GA27 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083PR21 ,  5F083PR33