特許
J-GLOBAL ID：200903031409937517
非線形素子基板及び液晶表示装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-222915
公開番号（公開出願番号）：特開平6-067215
出願日： 1992年08月21日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：
【要約】【目的】 残留分極の値を大きくすることによる、電荷のメモリ性の向上。【構成】 基板上に第1の電極、強誘電体層及び第2の電極が積層された非線形素子基板であって、前記強誘電体層がポリフッ化ビニリデンを60〜80mol%含有するポリフッ化ビニリデン-トリフロロエチレン共重合体であることを特徴とする非線形素子基板、及びそれを用いた液晶表示装置。
請求項（抜粋）：
基板上に第1の電極、強誘電体層及び第2の電極が積層された非線形素子基板であって、前記強誘電体層がポリフッ化ビニリデンを60〜80モル%含有するポリフッ化ビニリデン-トリフロロエチレン共重合体であることを特徴とする非線形素子基板。
IPC (3件)：
G02F 1/136 510
, G02F 1/133 560
, G09G 3/18
