特許

J-GLOBAL ID：200903031410165080

センサおよび検出方法

発明者： アグス スバギョ ,  末岡 和久
出願人/特許権者： 国立大学法人 北海道大学
代理人 (1件)： 鷲田 公一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-095251
公開番号（公開出願番号）：特開2009-250633
出願日： 2008年04月01日
公開日（公表日）： 2009年10月29日
要約：

【課題】電界効果トランジスタを含むセンサであって、ゲート電極の着脱による接触帯電を抑制し、試料溶液が溶液状態のままでも検出可能な、高精度かつ高感度なセンサを提供すること。【解決手段】本発明のセンサは、バックゲート型の電界効果トランジスタを含むセンサであって、反応領域を囲むゲート電極が半導体基板の絶縁膜上に固定されていること、および反応領域の絶縁膜の厚さがその周囲の絶縁膜の厚さよりも薄いことを特徴とする。本発明のセンサは、ゲート電極の着脱による不安定性および検出誤差を低減することができるため、高感度にかつ安定して被検出物質を検出することができる。また、本発明のセンサは、試料溶液が溶液状態のままでも、被検出物質の吸着や反応などに伴う信号の変化をリアルタイムで検出することができるため、これら物理現象を理解することができる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

電界効果トランジスタを含むセンサであって、 反応領域を有する第一の絶縁膜を第一の面に有し、かつ第二の絶縁膜を第二の面に有する半導体基板と、 前記反応領域の周囲の第一の絶縁膜上に固定されたゲート電極と、 前記第二の絶縁膜上に配置されたソース電極、ドレイン電極およびチャネルと、 を有し、 前記反応領域の第一の絶縁膜の厚さは、その周囲の第一の絶縁膜の厚さよりも薄い、 センサ。

IPC (2件)：

G01N 27/06 ,  G01N 33/551

FI (2件)：

G01N27/06 A ,  G01N33/551

Fターム (10件)：

2G060AA05 ,  2G060AA06 ,  2G060AE18 ,  2G060AF06 ,  2G060DA02 ,  2G060DA03 ,  2G060DA06 ,  2G060DA09 ,  2G060DA11 ,  2G060DA27