特許

J-GLOBAL ID：200903031410742690

TEOS熱CVD法

発明者： ディヴィッド ニン クー ワン ,  ジョン エム ホワイト ,  カム エス ロウ ,  シシー リューン ,  サルヴァドル ピー ウモトイ ,  ケニス エス コリンズ ,  ジョン エイ アダミク ,  イルヤ パーロフ ,  ダン メイダン
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 中村 稔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-038905
公開番号（公開出願番号）：特開平6-013367
出願日： 1987年12月18日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：

【要約】【目的】 VLSI、ULSIデバイスの微細な段差においてさえも、オゾンやTEOSガス化学作用及び熱CVDを使用して極めて良好な被膜層を形成するための方法を提供することを目的とする。【構成】 室内で酸化珪素の上層を基板に形成するための方法であって、基板に近接した多数の密に間隔を隔てた出口孔を有するマニホルドに近接して、室内で基板を位置決めし、基板を約200〜500°C範囲に、室を約10〜200トルの範囲に維持しながら、出口孔を介して反応物の窒素及び酸素を室に連通させるため、オゾン、酸素及びテトラエチルオルトシリケートからなる混合物をマニホルドに加えることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

二酸化珪素の共形層を基板に蒸着させるための方法であって、室内でオゾン、酸素及びテトラエチルオルトシリケートから形成された反応物種に基板を曝すことを含み、室内の圧力はほぼ10〜200トルの範囲にあり、基板の温度は200〜500°Cの範囲にあることを特徴とする方法。

IPC (5件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/42 ,  C30B 25/14 ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭47-024272
  
• 特開昭61-212307
  
• 特開昭47-023173
  
• 特公昭46-022490