特許
J-GLOBAL ID：200903031412989781
半導体ヨーレートセンサ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊藤 洋二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-202003
公開番号（公開出願番号）：特開平8-061959
出願日： 1994年08月26日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：
【要約】【目的】 温度特性を向上させた半導体ヨーレートセンサを提供する。【構成】 可動電極14,151,152を水平方向に振動させている時に、ヨーレートが可動電極14,151,152に加わるとコリオリの力により可動電極14,151,152が半導体基板11に対し垂直方向に変位する。この変位をソース電極171,172とドレイン電極181,182間のドレイン電流にて検出する。このドレイン電流が所定の電流値になるように、下部電極601〜603に電圧を印加し、可動電極14,151,152を一定の位置に保持するようフィードバック制御する。この時のフィードバック制御量によりヨーレートイを検出する。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、この半導体基板の表面から所定の間隔を隔てて上方に位置する可動電極と、この可動電極を前記半導体基板に対して水平方向に振動させる振動手段と、前記可動電極の前記半導体基板に対する垂直方向の変位を検出する垂直変位検出手段と、前記振動手段により前記可動電極を水平方向に振動させている時に、前記垂直変位検出手段にて検出した前記可動電極の変位に応じ前記可動電極と前記半導体基板の間隔を一定に保つように前記可動電極の垂直方向の変位を制御する垂直変位制御手段とを備え、この垂直変位制御手段による前記可動電極の制御量にてヨーレートを検出するようにしたことを特徴とする半導体ヨーレートセンサ。
IPC (2件)：
引用特許：
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