特許

J-GLOBAL ID：200903031414318035

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ

発明者： 采女 豊 ,  門岩 薫 ,  早藤 紀生 ,  紫村 輝之
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-320356
公開番号（公開出願番号）：特開平9-162194
出願日： 1995年12月08日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：

【要約】【課題】 トタンジスタユニットの均一な動作が可能なヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。【解決手段】 エミッタ電極34とコレクタ電極33との間に、エミッタ層7,ベース層5,及びコレクタ層4を備えた複数のトランジスタユニット15が並列に形成されたヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、上記エミッタ層7と上記エミッタ電極34との間に,Alx Ga1-x As(0.5≦x≦1)からなるバラスト抵抗層9を備えたものである。

請求項（抜粋）：

エミッタ電極とコレクタ電極との間に、エミッタ層,ベース層,及びコレクタ層を備えた複数のトランジスタユニットが並列に形成されたヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、上記エミッタ層と上記エミッタ電極との間に,Alx Ga1-x As(0.5≦x≦1)からなるバラスト抵抗層を備えたことを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/205

FI (2件)：

H01L 29/72 ,  H01L 29/205