特許
J-GLOBAL ID：200903031418137019
化合物半導体結晶気相成長装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
飯田 敏三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-177774
公開番号（公開出願番号）：特開平5-003159
出願日： 1991年06月24日
公開日（公表日）： 1993年01月08日
要約：
【要約】【目的】本発明は、原料ガスの不要な分解を抑え、分解生成物の堆積を少なくして、良質の結晶を安定して効率良く成長させるMOCVD装置に関する。【構成】反応容器と、この反応容器内に設けられた基板結晶を保持・加熱するサセプタと、前記基板結晶を所定温度に加熱する高周波誘導加熱コイルと、反応容器内に反応ガスを供給する反応ガス供給口と、ガスを排出するガス排出口を備える。そして、サセプタの反応ガスに接する部分を断熱性の鞘で囲むように構成された化合物半導体結晶気相成長装置である。
請求項（抜粋）：
反応ガスの供給口と排出口を有する反応容器と、この反応容器内に設けられた表面に新たな結晶が形成・成長される基板を保持・加熱するサセプタと、前記基板の加熱手段とを具備する化合物半導体結晶気相成長装置において、前記サセプタの上面より反応ガス下流側のサセプタの周囲を断熱性の鞘で囲包することを特徴とする化合物半導体結晶気相成長装置。
IPC (2件)：
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