半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-063099
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264531
出願日： 1995年03月22日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【目的】電極及び配線の構造を改良し、半導体装置の信頼性向上とRC遅延の低減を図る。【構成】MOSFETのゲート電極は、反応障壁層である窒化タングステン膜111を挟んで配設された、多結晶ケイ素膜102と高融点金属膜であるタングステン膜112とを含む。タングステン膜112は、これに対して熱膨張係数の近い絶縁膜である窒化ケイ素膜109に囲まれる。まず、底部が多結晶ケイ素膜102で、側部が窒化ケイ素膜109からなる溝が形成され、そして、同溝内に窒化タングステン膜111及びタングステン膜112が埋め込まれる。これにより、自己整合的に多結晶ケイ素膜102、窒化タングステン膜111及びタングステン膜112の積層構造からなる電極が形成される。

請求項（抜粋）：

高融点金属膜を含む配線及び電極が高融点金属膜に対し熱膨張係数の近い絶縁膜で覆われていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/28 301 , H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 21/88 R , H01L 21/28 301 R , H01L 21/88 Q , H01L 29/78 301 G

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-027551
半導体装置及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-207000 出願人：ソニー株式会社
トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-264058 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

全件表示

前のページに戻る