半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-063099
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264531
出願日： 1995年03月22日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【目的】電極及び配線の構造を改良し、半導体装置の信頼性向上とRC遅延の低減を図る。【構成】MOSFETのゲート電極は、反応障壁層である窒化タングステン膜111を挟んで配設された、多結晶ケイ素膜102と高融点金属膜であるタングステン膜112とを含む。タングステン膜112は、これに対して熱膨張係数の近い絶縁膜である窒化ケイ素膜109に囲まれる。まず、底部が多結晶ケイ素膜102で、側部が窒化ケイ素膜109からなる溝が形成され、そして、同溝内に窒化タングステン膜111及びタングステン膜112が埋め込まれる。これにより、自己整合的に多結晶ケイ素膜102、窒化タングステン膜111及びタングステン膜112の積層構造からなる電極が形成される。

請求項（抜粋）：