特許

J-GLOBAL ID：200903031422605558

磁気抵抗効果を利用したメモリー素子および増幅素子

発明者： 川分 康博 ,  榊間 博 ,  入江 庸介 ,  北川 雅俊 ,  里見 三男
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-196344
公開番号（公開出願番号）：特開平9-045074
出願日： 1995年08月01日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：

【要約】【目的】 新規な構成により、室温・微小動作磁界で大きな磁気抵抗変化を示す磁気抵抗効果素子を作製可能とする。これによって、低電流で記録可能でかつ高信頼性のメモリー素子、および増幅作用の優れた増幅素子の作製を可能とする。【構成】 Si単結晶基板上に、Al2O3またはSiO2絶縁膜を介して、Si基板にエピタキシャルに形成された金属人工格子膜層からなる磁気抵抗効果素子部分および素子部分の近傍に電気的絶縁膜を介して設けられた導体線からなる。

請求項（抜粋）：

Si単結晶基板上に、Al2O3またはSiO2絶縁膜を介して、Si基板にエピタキシャルに形成された金属人工格子膜層からなる磁気抵抗素子部分、および素子部分に磁界を加えるために、素子部分の近傍に電気的絶縁膜を介して設けられた導体線からなるメモリー素子。

IPC (3件)：

G11C 11/15 ,  H01L 43/08 ,  H03F 21/00

FI (3件)：

G11C 11/15 ,  H01L 43/08 Z ,  H03F 21/00