特許

J-GLOBAL ID：200903031424606268

圧電素子及びその製造方法

発明者： 鎌田 健 ,  林 重徳 ,  神野 伊策 ,  鳥井 秀雄 ,  高山 良一 ,  平尾 孝
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-250537
公開番号（公開出願番号）：特開平8-116101
出願日： 1994年10月17日
公開日（公表日）： 1996年05月07日
要約：

【要約】【目的】 チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)膜を用いた小型・軽量で精度の良好で、かつ低コストの圧電素子と高度なマイクロマシンニング技術を用いずに製造できる製造方法を提供する。【構成】 貫通した空間部分のあるアルミナ製の素子保持基板1に接続電極4を形成する。次に基板1の空間部分にKBr粉体2を融解して空間部分が埋められた素子基板を作成する。KBr充填部は研磨して平滑化し、この表面上に片持梁型パターンのマスクを用いて膜面に対して<100>方向にエピタキシャル成長したPt下部電極3を形成する。さらにrfマグネトロンスパッタ法でc軸に結晶配向したPZT膜5を形成し、その表面上にAlの引出し電極膜6を形成する。このように作製された構造物を水洗い処理しKBr充填部分2を除去し、圧電素子9を作製する。

請求項（抜粋）：

貫通した空間部分のある素子保持基板の上に、電極膜Aと(100)面配向を有する電極膜Bと、前記電極膜Aと前記電極膜Bとの間に存在する圧電性誘電体膜を少なくとも備えた片持梁型の多層膜構造体を固着した圧電素子。

IPC (5件)：

H01L 41/08 ,  G01L 1/10 ,  G01P 15/09 ,  H01L 29/84 ,  H01L 41/22

FI (2件)：

H01L 41/08 Z ,  H01L 41/22 Z