特許
J-GLOBAL ID：200903031430279325
半導体レーザーダイオードの素子分離方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
江原 省吾
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-016709
公開番号（公開出願番号）：特開平5-217904
出願日： 1992年01月31日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：
【要約】【目的】 ウェーハ状態で製作される多数の半導体レーザーダイオードを単独素子に分離する分離溝5を、エッチングにより形成すると素子1の側面にひさし状の段差8が形成されて、次工程で様々な問題が生じるので、エッチング法に換わる段差が形成されない分離方法を提供する。【構成】 半導体基板2の素子1の分離溝形成予定部分に、例えば常圧CVD法により形成する酸化膜で、エピタキシャル成長がされない絶縁膜6を被着形成し、その後、他の部分に、例えば有機金属VPE法によってレーザーダイオード素子1をエピタキシャル成長層で形成する。これによって、絶縁膜6上に結果的に素子分離溝5を形成する。
請求項（抜粋）：
ウェーハ状半導体基板の素子分離溝形成予定部分にエピタキシャル成長がされない絶縁膜を予め被着形成し、前記絶縁膜を形成した以外の部分にエピタキシャル成長させて、レーザーダイオード素子を形成することを特徴とする半導体レーザーダイオードの素子分離方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, H01L 21/76
, H01S 3/18
, H01L 33/00
