特許

J-GLOBAL ID：200903031434138025

半導体レーザとその製造方法

発明者： 勝山 造 ,  吉田 伊知朗 ,  橋本 順一 ,  村田 道夫
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-210097
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078771
出願日： 1994年09月02日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：

【要約】【目的】 光ファイバ増幅器に適用して好適な高信頼性を有する、1μm前後の波長光を発生する半導体レーザを提供する。【構成】 GaAs基板9に形成された半導体レーザであって、バンドギャップがGaAsより小さなGaInAsP歪量子井戸から成る活性層4を有する。この活性層4は、その活性層4のバンドギャップより大きなバンドギャップを有するGaInAsPから成るバリヤ層3,5がヘテロ接合される。かかる構造により、活性層4とバリヤ層3,5を成長させる際に、Ga原料とIn原料の供給量の制御が簡素となり、高い信頼性を有する半導体レーザを実現することができる。

請求項（抜粋）：

GaAs基板に形成された半導体レーザであって、バンドギャップがGaAsより小さなGaInAsP歪量子井戸から成る活性層を有することを特徴とする半導体レーザ。