特許

J-GLOBAL ID：200903031434271205

半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置

発明者： 五十嵐 一雅
出願人/特許権者： 日東電工株式会社
代理人 (1件)： 西藤 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-297367
公開番号（公開出願番号）：特開2001-172473
出願日： 1999年10月19日
公開日（公表日）： 2001年06月26日
要約：

【要約】【課題】半導体素子の高周波化が進む状況のなかで、高周波化に対応した比誘電率が低減され、かつゲル化時間が短い半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供する。【解決手段】下記の(A)〜(E)成分を必須成分として含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物である。そして、上記(A)成分のエポキシ基1当量に対して上記(B)成分の水酸基を1.02〜1.20当量に、かつ上記(A)成分のエポキシ基1当量に対して上記(C)成分のシアネートエステル基を0.10〜1.00当量の割合の当量比にそれぞれ設定されている。(A)エポキシ樹脂。(B)フェノール樹脂。(C)多価シアネートエステル化合物。(D)硬化促進剤。(E)無機質充填剤。

請求項（抜粋）：

下記の(A)〜(E)成分を必須成分として含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物であって、上記(A)成分のエポキシ基1当量に対して上記(B)成分の水酸基を1.02〜1.20当量に、かつ上記(A)成分のエポキシ基1当量に対して上記(C)成分のシアネートエステル基を0.10〜1.00当量の割合の当量比にそれぞれ設定されていることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。(A)エポキシ樹脂。(B)フェノール樹脂。(C)多価シアネートエステル化合物。(D)硬化促進剤。(E)無機質充填剤。

IPC (6件)：

C08L 63/00 ,  C08G 18/58 ,  C08G 59/24 ,  C08K 3/00 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (6件)：

C08L 63/00 B ,  C08L 63/00 C ,  C08G 18/58 ,  C08G 59/24 ,  C08K 3/00 ,  H01L 23/30 R

Fターム (58件)：

4J002CC03X ,  4J002CC05X ,  4J002CC073 ,  4J002CD04W ,  4J002CD05W ,  4J002CD06W ,  4J002CM023 ,  4J002DE078 ,  4J002DE138 ,  4J002DE148 ,  4J002DF018 ,  4J002DJ008 ,  4J002DJ018 ,  4J002DK008 ,  4J002EE047 ,  4J002EG047 ,  4J002EG087 ,  4J002EN037 ,  4J002ER006 ,  4J002EU117 ,  4J002EW017 ,  4J002EW177 ,  4J002FD018 ,  4J002FD020 ,  4J002FD090 ,  4J002FD130 ,  4J002FD14X ,  4J002FD140 ,  4J002FD157 ,  4J002GQ00 ,  4J036AA01 ,  4J036AC01 ,  4J036AC02 ,  4J036AC03 ,  4J036AD12 ,  4J036AE05 ,  4J036DA01 ,  4J036DA04 ,  4J036DB05 ,  4J036DC32 ,  4J036FA01 ,  4J036FB07 ,  4J036FB08 ,  4J036JA07 ,  4M109AA01 ,  4M109BA01 ,  4M109CA21 ,  4M109EA02 ,  4M109EB03 ,  4M109EB04 ,  4M109EB06 ,  4M109EB07 ,  4M109EB08 ,  4M109EB09 ,  4M109EB12 ,  4M109EB19 ,  4M109EC07 ,  4M109EC20