特許
J-GLOBAL ID：200903031434758988
ダイアモンド薄膜の製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-140294
公開番号（公開出願番号）：特開平5-330986
出願日： 1992年06月01日
公開日（公表日）： 1993年12月14日
要約：
【要約】【目的】良質のダイアモンド薄膜を安価に、しかも大面積基板上に均一に形成することが可能なスパッタ法によるダイアモンド薄膜の製造方法を提供する。【構成】マイクロ波によって生成されるプラズマを利用するスパッタ装置の内部に基板を設置し、炭素もしくは炭素を主成分とし所定のドーピング成分を含む固体の炭素材料をターゲットとして用い、プラズマ放電ガスとして、水素ガスもしくは水素と不活性ガスとの混合ガスを用いてスパッタすることにより基板上にダイアモンド薄膜を形成する方法。【効果】熱的安定性が良く、機械的性質および電子・光特性に優れた良質のダイアモンド薄膜を、安価に、大面積基板上に均一に形成させることができる。
請求項（抜粋）：
マイクロ波によって生成されるプラズマ放電を利用するスパッタ装置の内部に所定の基板を設置し、炭素質のターゲットに負の電圧を印加してスパッタを行い上記基板上にダイアモンド薄膜を形成する方法であって、上記炭素質のターゲットとして、炭素もしくは炭素を主成分とし所定のドーピング成分を含む固体の炭素材料を用い、上記プラズマ放電ガスとして、水素ガス、もしくは水素とHe、Ne、Ar、Kr、Xeのうちから選ばれる少なくとも1種の不活性ガスとの混合ガスを用いることを特徴とするダイアモンド薄膜の製造方法。
IPC (3件)：
C30B 29/04
, C30B 23/08
, H01L 25/10
