酸化膜の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：山田稔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-189999
公開番号（公開出願番号）：特開平5-033138
出願日： 1991年07月30日
公開日（公表日）： 1993年02月09日
要約：

【要約】【目的】 ECRプラズマCVD法において、供給するシランガスと酸素ガスの流量比を制御して、熱処理により応力変化が発生しない酸化膜を製造すること。【構成】 RF付加ECRプラズマCVD装置1において、第1の磁気コイル11が発生する磁界と矩形導波管5から注入されたマイクロ波とによって電子サイクロトロン共鳴領域12が形成されており、供給管6から供給された酸素ガスは、反応種を発生する。発生した反応種は、第1の磁気コイル11が形成する発散磁界13によって、プラズマ流となって、反応室3の内部の半導体基板7に向けて引き出されると共に、供給管9から供給されるシランガスと反応して、半導体基板7の表面上にシリコン酸化膜を堆積する。ここで、酸素ガスに対するシランガスの流量比は、約0.7〜約1.1に設定されている。

請求項（抜粋）：

電子サイクロトロン共鳴プラズマ源により少なくとも酸素ガスを含むプラズマを発生させ、このプラズマとシランガスとを反応させて半導体基板上に酸化膜を成長させる酸化膜の製造方法において、前記プラズマに対し供給すべき酸素ガスに対するシランガスの流量比が、約0.7から約1.1までの範囲であることを特徴とする酸化膜の製造方法。

IPC (4件)：

C23C 16/40 , H01L 21/316 , H05H 13/00 , C23C 14/35

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭62-146269
特開平3-024268
特開平4-286122

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