特許

J-GLOBAL ID：200903031442683881

化学気相成長用原料及びこれを用いた薄膜の製造方法

発明者： 小野沢 和久 ,  芳仲 篤也 ,  山田 直樹 ,  桜井 淳
出願人/特許権者： 旭電化工業株式会社
代理人 (1件)： 羽鳥 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-221646
公開番号（公開出願番号）：特開2003-034868
出願日： 2001年07月23日
公開日（公表日）： 2003年02月07日
要約：

【要約】【課題】 各種CVD法に適合したCVD用アルミニウム原料及び該原料によるアルミニウム系薄膜のCVD法による製造方法を提供すること。【解決手段】 下記一般式(I)で表されるアルミニウム化合物を含有してなる化学気相成長用原料。【化1】

請求項（抜粋）：

下記一般式(I)で表されるアルミニウム化合物を含有してなる化学気相成長用原料。【化1】

IPC (5件)：

C23C 16/20 ,  C07F 5/06 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301

FI (5件)：

C23C 16/20 ,  C07F 5/06 D ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 L

Fターム (16件)：

4H048AA03 ,  4H048AB78 ,  4H048AB91 ,  4H048VA20 ,  4H048VA80 ,  4H048VB10 ,  4K030AA11 ,  4K030BA02 ,  4K030BA43 ,  4K030FA01 ,  4K030FA06 ,  4K030FA10 ,  4M104BB02 ,  4M104DD45 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16