特許

J-GLOBAL ID：200903031446692206

処理装置とその方法

発明者： 西村 博司
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-005114
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208424
出願日： 1999年01月12日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】【課題】 薄膜処理で、ダスト発生の少ない電極を用いて、被処理体であるウエハ上へ処理ガスを高精度で均一性の高い供給を行う。【解決手段】 電極21に孔設された各ガス供給孔27a、27b、27c......は、それぞれ電極21の中心から外側に向かって傾斜して設ける。

請求項（抜粋）：

被処理体を支持する支持部を備えた処理室と、この処理室内の前記被処理体と対抗する位置に設けられ、供給された処理ガスを拡散して前記処理室に供給する複数のガス供給孔が配列して孔設された電極を具備する処理装置において、前記電極に孔設された前記ガス供給孔は、前記処理室に供給された処理ガスが前記被処理体に対して渦巻き状の流れを形成するように形成されていることを特徴とする処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/31

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C

Fターム (7件)：

5F045AA03 ,  5F045BB01 ,  5F045BB15 ,  5F045DP03 ,  5F045EF05 ,  5F045EF07 ,  5F045EF14