特許

J-GLOBAL ID：200903031447848358

半導体双方向スイッチ素子を用いた充放電保護装置

発明者： 前橋 幸男 ,  山中 英二
出願人/特許権者： 株式会社トーキン
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-058415
公開番号（公開出願番号）：特開2001-251772
出願日： 2000年03月03日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
要約：

【要約】【課題】 より簡単なスイッチ回路構成で、低コストで、使い勝手が良く、信頼性が高く、省エネルギー性を配慮した半導体双方向スイッチ素子およびそれを用いた充放電保護装置を得る。【解決手段】 単一の素子であって、双方向特性を有する半導体双方向スイッチ素子14を、充放電経路に挿入し、過充電及び過放電保護用スイッチ回路を構成する充放電保護装置であって、前記充放電保護装置は、二次電池13、13’の端子電圧を制御回路15によって検知し、前記半導体双方向スイッチ素子14のドレインを二次電池13の端子に接続し、ソースを負荷、あるいは充電器11に接続し、ゲートを前記制御回路15に接続した充放電保護装置で、かつ前記半導体双方向スイッチ素子14を、ノーマリオン特性を有する電界効果型トランジスターとした充放電保護装置とする。

請求項（抜粋）：

単一の素子であって、双方向特性を有する半導体双方向スイッチ素子を、充放電経路に挿入し、過充電及び過放電保護用スイッチ回路を構成したことを特徴とする充放電保護装置。

IPC (5件)：

H02J 7/00 ,  H01L 21/8222 ,  H01L 27/06 ,  H01L 29/80 ,  H01M 10/44

FI (4件)：

H02J 7/00 J ,  H01M 10/44 P ,  H01L 27/06 101 S ,  H01L 29/80 V

Fターム (35件)：

5F102FA00 ,  5F102FB01 ,  5F102FB10 ,  5F102GB06 ,  5F102GC07 ,  5F102GC08 ,  5F102GC09 ,  5F102GD04 ,  5F102GJ03 ,  5F102GL08 ,  5F102GL15 ,  5F102GM02 ,  5F102GR13 ,  5F102GS09 ,  5F102GS10 ,  5F102HC01 ,  5F102HC07 ,  5F102HC15 ,  5G003BA03 ,  5G003CC02 ,  5G003DA07 ,  5G003DA13 ,  5G003GA01 ,  5G003GA07 ,  5H030AA03 ,  5H030AA04 ,  5H030AA06 ,  5H030AS18 ,  5H030AS20 ,  5H030BB01 ,  5H030BB21 ,  5H030BB26 ,  5H030DD05 ,  5H030FF43 ,  5H030FF44