特許

J-GLOBAL ID：200903031450241898

nドープされたシリコン単結晶の製造方法

発明者： 高橋 著
出願人/特許権者： 三菱商事株式会社
代理人 (1件)： 岡田 数彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-242778
公開番号（公開出願番号）：特開平6-064914
出願日： 1992年08月19日
公開日（公表日）： 1994年03月08日
要約：

【要約】【目的】熱中性子によるドーピング効率が著しく改良されたシリコン単結晶の製造方法を提供する。【構成】金属シリコンをシリコン化合物に変換し、当該シリコン化合物から多結晶シリコンを得、次いで、当該多結晶シリコンを単結晶に変換した後、当該単結晶に熱中性子を照射して当該シリコン単結晶中の同位体30Siをリンに転換させてnドープされたシリコン単結晶を製造するに当たり、予め、シリコン化合物を濃縮して前記同位体の含有量を自然の存在度以上に高める。

請求項（抜粋）：

金属シリコンをシリコン化合物に変換し、当該シリコン化合物から多結晶シリコンを得、次いで、当該多結晶シリコンを単結晶に変換した後、当該単結晶に熱中性子を照射して当該シリコン単結晶中の同位体30Siをリンに転換させてnドープされたシリコン単結晶を製造するに当たり、予め、シリコン化合物を濃縮して前記同位体の含有量を自然の存在度以上に高めることを特徴とするnドープされたシリコン単結晶の製造方法。

IPC (2件)：

C01B 33/02 ,  H01L 21/26