不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-277747
公開番号（公開出願番号）：特開平10-125810
出願日： 1996年10月21日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：

【要約】【課題】記憶情報を多値にし不揮発性半導体記憶装置の集積度を向上させる。【解決手段】半導体基板上の絶縁膜に開口部が形成され前記開口部の半導体基板表面に拡散層あるいはシリサイド層が形成され、その表面に第1のゲート絶縁膜が形成され前記開口部内に第1の浮遊ゲート電極が形成され、拡散層あるいはシリサイド層を第1の制御電極とし、前記第1の浮遊ゲート電極表面に第2のゲート絶縁膜が形成され、前記絶縁膜と第2のゲート絶縁膜上に被着するように設けられた半導体薄膜に薄膜トランジスタのチャネル領域とソース・ドレイン領域とが形成され、半導体薄膜上に第3のゲート絶縁膜が形成され第3のゲート絶縁膜上に第2の浮遊ゲート電極が形成され、前記第2の浮遊ゲート電極上に第4のゲート絶縁膜を介して第2の制御ゲート電極が配設される。

請求項（抜粋）：

一導電型の半導体基板上に形成された絶縁膜と前記絶縁膜の所定の領域に形成され前記半導体基板表面に達する開口部と前記開口部の前記半導体基板表面に形成された逆導電型の拡散層と前記拡散層表面に形成された第1のゲート絶縁膜と前記第1のゲート絶縁膜上に被着され前記開口部に埋設される第1の浮遊ゲート電極とを有し、前記拡散層を第1の制御電極とし、前記第1の浮遊ゲート電極表面に第2のゲート絶縁膜が形成され、前記絶縁膜と前記第2のゲート絶縁膜上に被着するように設けられた半導体薄膜に薄膜トランジスタのチャネル領域とソース・ドレイン領域とが形成され、前記半導体薄膜上に第3のゲート絶縁膜が形成され、前記第3のゲート絶縁膜上に第2の浮遊ゲート電極が形成され、前記第2の浮遊ゲート電極上に第4のゲート絶縁膜を介して第2の制御ゲート電極が配設されてなる不揮発性メモリ素子において、前記半導体薄膜のうち前記第2のゲート絶縁膜に接する領域に前記薄膜トランジスタの第1のチャネル領域が形成され、前記半導体薄膜のうち前記第3のゲート絶縁膜に接する領域に前記薄膜トランジスタの第2のチャネル領域が形成されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (5件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115 , H01L 29/786

FI (4件)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 613 B , H01L 29/78 617 N

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