特許

J-GLOBAL ID：200903031467069827

書き換え可能データ記憶媒体及び記憶媒体の構成方法

発明者： デイビッド エム. シャット ,  アレクサンダー ゴビャジノフ ,  トーマス ナベット ,  ポール エイチ. マクレラン
出願人/特許権者： ヒューレット-パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー.
代理人 (2件)： 後藤 政喜 ,  松田 嘉夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-297831
公開番号（公開出願番号）：特開2004-118997
出願日： 2003年08月21日
公開日（公表日）： 2004年04月15日
要約：

【課題】読み出し誤りが少なく省電力使用可能な書き換え可能データ記憶媒体の開発。【解決手段】書き換え可能データ記憶媒体(100)は複数のメモリ・セルが論理的に分布する複数の柱状チャネル(108)を構成する誘電体材料(104)と、前記複数のメモリ・セルを実現するための前記複数の柱状チャネル内に充填された充填材料(106)とを備える。各メモリ・セルの前記充填材料が、第1の記憶可能な論理値に対応する少なくとも1つの第1の形態と、第2の記憶可能な論理値に対応する少なくとも1つの第2の形態を有する。【選択図】図1A

請求項（抜粋）：

複数のメモリ・セルが論理的に分布する複数の柱状チャネルを構成する誘電体材料と、 前記複数のメモリ・セルを実現するための前記複数の柱状チャネル内に充填された充填材料とを含み、 各メモリ・セルの前記充填材料が、第1の記憶可能な論理値に対応する少なくとも1つの第1の形態と、第2の記憶可能な論理値に対応する少なくとも1つの第2の形態を有する書き換え可能データ記憶媒体。

IPC (2件)：

G11C11/42 ,  H01L27/10

FI (2件)：

G11C11/42 Z ,  H01L27/10 451

Fターム (5件)：

5F083FZ10 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083PR29