特許

J-GLOBAL ID：200903031469436878

半導体レーザ実装方法

発明者： 小田切 雄一
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-334373
公開番号（公開出願番号）：特開平5-145181
出願日： 1991年11月22日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：

【要約】【目的】 半導体レーザモジュールの寿命を向上させるため、寿命の支配要因である半田クリープの問題を軽減させる。【構成】 ヒートシンク3と半導体レーザ4、シートシンク3と半導体レーザパッケージステム2の固定にガラス材料5を用いる。【効果】 クリープの問題が破壊されるまで殆ど生じない。またガラス材料は従来の半田材料に較べて高温で融解する。このため、環境温度条件が厳しい状況に半導体レーザモジュールがおかれても、高い寿命を維持できる。

請求項（抜粋）：

電気信号を光信号に変換するための半導体レーザの実装方法であって、ヒートシンク上に実装される半導体レーザ又は、半導体パッケージステム上に実装されるヒートシンクの少なくとも一組をガラス材料を用いて固定することを特徴とする半導体レーザ実装方法。