特許

J-GLOBAL ID：200903031474870586

半導体基板への添加物イオン注入方法、電極形成方法およびそのための装置

発明者： 大野茂樹 ,  茂中尚登 ,  布施元正 ,  橋本素行 ,  大和田 伸朗
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 本多 小平 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-189668
公開番号（公開出願番号）：特開平6-037030
出願日： 1992年07月16日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：

【要約】【目的】 半導体基板にイオン注入する際形成される照射欠陥の抑制を図りその除去を容易にする添加物イオン注入方法、並びに、イオンビームミキシング法を用いて半導体用電極を設置する際形成される照射欠陥の抑制を図りその除去を容易にする電極形成方法と、そのための装置の提供。【構成】 半導体基板への添加物イオン注入時に、または、予め蒸着した電極用金属にイオンミキシングする電極形成時に、半導体基板を、液体窒素の温度より高く且つ半導体の融点(絶対温度)の15%に相当する温度以下の範囲内の一定温度に制御する。添加物イオンの注入前に半導体の自己イオンを注入し、両者の注入量により非晶質化を行う方法も示されている。【効果】 照射欠陥除去に用いるアニール温度の低減および時間の短縮が図れる。アニール時の添加物の拡散が抑制でき、半導体デバイスの高集積化が図れる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の温度を、絶対温度で表わされた半導体の融点の15%に相当する温度以下で且つ液体窒素の温度よりは高い温度範囲内の一定温度に制御しながら、添加物イオンを半導体基板に注入することを特徴とする半導体基板への添加物イオン注入方法。

IPC (2件)：

H01L 21/265 ,  H01J 37/317

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平4-162618
  
• 特開平4-147617
  
• 特開平3-261060
  
• 特開平1-160010
  
• 特開平2-137318