特許

J-GLOBAL ID：200903031479607751

化合物堆積方法

発明者： 駒野 治樹
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-239598
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087343
出願日： 1997年09月04日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：

【要約】【課題】 試料表面の微小領域に高純度かつ高品質の化合物を堆積する。【解決手段】 被処理試料15表面の所望の領域に少なくとも2種類の元素からなる化合物を堆積する方法において、被処理試料15の表面に化合物を構成する一つの元素からなるイオンビーム25を照射するとともに、被処理試料15の表面に化合物を構成する他の少なくとも一つの元素を有する原料物をイオン銃31から供給することにより、被処理試料15の表面に到達したイオンビームを構成する一つの元素と原料物を構成する他の少なくとも一つの元素とを反応させ、被処理試料15表面の所望の領域に化合物を堆積する。

請求項（抜粋）：

被処理試料表面の所望の領域に少なくとも2種類の元素からなる化合物を堆積する方法において、前記被処理試料の表面に前記化合物を構成する一つの元素を有するビームを照射するとともに、前記被処理試料の表面に前記化合物を構成する他の少なくとも一つの元素を有する原料物を供給することにより、前記被処理試料の表面に到達した前記ビームを構成する一つの元素と前記原料物を構成する他の少なくとも一つの元素とを反応させ、前記被処理試料表面の所望の領域に化合物を堆積することを特徴とする化合物堆積方法。

IPC (5件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/318

FI (5件)：

H01L 21/316 Y ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/31 D ,  H01L 21/318 B ,  H01L 21/30 502 W