特許
J-GLOBAL ID：200903031479881756
赤外発光ダイオードおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-277741
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121792
出願日： 1997年10月09日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：
【要約】【課題】 赤外発光ダイオードにおいて、低電流での光出力の低下を少なくする。【解決手段】 N型GaAsエピタキシャル層2とP型GaAsエピタキシャル層3との間に、ドーパント濃度が高いP型GaAsエピタキシャル薄膜4を形成する。これにより、P/N接合の空乏層幅が短くなり、空乏層内での再結合電流成分が低下する。
請求項（抜粋）：
N型GaAsエピタキシャル層とP型GaAsエピタキシャル層との間に、該P型GaAsエピタキシャル層の該N型GaAsエピタキシャル層側表面近傍部分よりもドーパント濃度が高いP型GaAsエピタキシャル薄膜が設けられ、該P型GaAsエピタキシャル薄膜近傍の該P型エピタキシャル層部分で発光が主として生じる赤外発光ダイオード。
引用特許：
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