特許

J-GLOBAL ID：200903031482774855

集積回路を形成する方法

発明者： ミン フワン ,  ロバート ツ ,  ウェイ - ユン スー
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-274037
公開番号（公開出願番号）：特開2000-114492
出願日： 1999年09月28日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：

【要約】【課題】 集積回路のMIMキャパシタをコスト効果をもって製造する。【解決手段】 MIMキャパシタ120を製造するコスト効果のある方法。金属106のデポジッションの後、CO2及びH2を含む酸化組成を使って、金属酸化物108を形成する。CO2/H2ガス比は選択的な酸化が出来るように制御される。この為、強力な還元剤としてのH2及びCO2の両方が存在することにより、金属106は実効的に酸化から保護される。

請求項（抜粋）：

集積回路を形成する方法に於いて、構造物の上に金属層を形成し、CO2及びH2を含む組成を用いて、前記金属層の少なくとも一部分を露出した状態で前記構造物を選択的に酸化して、前記金属層を酸化から実質的に保護しながら、前記金属層の上に金属酸化物層を形成する工程を含む方法。

IPC (4件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 27/04 C