特許
J-GLOBAL ID：200903031485496694
半導体圧力センサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-020859
公開番号（公開出願番号）：特開平6-213746
出願日： 1993年01月14日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：
【要約】【目的】 差圧検出用ダイヤフラムの周方向の応力を均一にすることができ、測定精度を向上させる。【構成】 半導体基板2の中央部に差圧検出用ダイヤフラム4を形成し、その外側にこれと同心の円輪状静圧検出用ダイヤフラム20を形成する。差圧検出用ダイヤフラム4の表面に差圧検出用ゲージ8を形成し、静圧検出用ダイヤフラム20の表面に静圧検出用ゲージ9を形成する。
請求項（抜粋）：
単結晶からなる半導体基板に円板状薄肉部とこの円板状薄肉部の周囲にこれと同心の円輪状薄肉部を形成し、前記円板状薄肉部を差圧検出用ダイヤフラムとしてその表面に差圧検出用ピエゾ抵抗素子を設け、前記円輪状薄肉部を静圧検出用ダイヤフラムとしてその表面に静圧検出用ピエゾ抵抗素子を設けたことを特徴とする半導体圧力センサ。
IPC (2件)：
G01L 9/04 101
, H01L 29/84
