特許
J-GLOBAL ID：200903031488948227
MOSトランジスタおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-194996
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064813
出願日： 1994年08月19日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：
【要約】【目的】多結晶Si層をパターニングしてゲート電極を作る際、多結晶Siの屈折率の不均一によるレジストパターン寸法のばらつきの発生を防ぐ。【構成】ゲート電極の表面部のみを不純物をドープしない多結晶Siとすることにより、ドープする不純物による屈折率の不均一が生じないため、レジストパターン寸法のばらつきを低減できる。
請求項（抜粋）：
ゲート電極のゲート絶縁膜に接する側が不純物がドープされた導電性の多結晶シリコン膜からなり、表面側が不純物がドープされない多結晶シリコン膜からなることを特徴とするMOSトランジスタ。
IPC (2件)：
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