特許

J-GLOBAL ID：200903031489332815

ドライエッチング用ガス組成物およびこれを用いたドライエッチング方法

発明者： 門村 新吾
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-009879
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214357
出願日： 1998年01月21日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：

【要約】【課題】 エッチング回数を重ねてもエッチングチャンバ内のパーティクルレベルの悪化がなく、また、たとえ大気中に放出されても地球環境温暖化の虞れのないエッチングガス組成物およびこれを用いたドライエッチング方法を提供する。【解決手段】 CF3 I等のCn F2n+2-xIx 系化合物ガスと、フッ素系ガス以外のハロゲン系ガスとを含むエッチングガス組成物を用いる。このエッチングガス組成物により、高融点金属ポリサイド層5等からなるゲート電極材料層をドライエッチングする。【効果】 CF3 Iは大気中のライフタイムが短く、また地球温暖化の指標であるGWPも小さい。さらにプラズマ中で解離してフッ素活性種を放出するので、チャンバ内に堆積する反応生成物を速やかに除去する。

請求項（抜粋）：

Cn F2n+2-xIx 系化合物ガスと、フッ素系ガス以外のハロゲン系ガスとを含むことを特徴とするドライエッチング用ガス組成物(ただし、nおよびxはそれぞれ個別に3以下の自然数を表す)。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/28 301

FI (3件)：

H01L 21/302 F ,  C23F 4/00 E ,  H01L 21/28 301 T