特許
J-GLOBAL ID:200903031494243480

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 篠部 正治
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-109170
公開番号(公開出願番号):特開平11-307581
出願日: 1998年04月20日
公開日(公表日): 1999年11月05日
要約:
【要約】【課題】低抵抗で、信頼性の高い、複数の出力段素子を有する半導体装置を提供すること。【解決手段】半導体チップ1上をパッシベーション膜4で被覆し、このパッシベーション膜4の開口部であるパッド開口部3にAuのスタッドバンプ2を形成し、外部導出端子であるリードフレーム5をSnPbの高温はんだ6を被覆し、スタッドバンプ2と高温はんだ6と固着する。
請求項(抜粋):
半導体チップ上に電極パッドを形成し、該電極パッド上にバンプを形成し、該バンプを介して外部導出端子と接続する半導体装置において、前記外部導出端子の少なくとも前記バンプとの固着部位をはんだで被覆し、該はんだと前記バンプを固着することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件):
H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60
FI (2件):
H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/92 621 A
引用特許:
審査官引用 (2件)
  • 特開平2-012863
  • 特表平4-503283

前のページに戻る