特許
J-GLOBAL ID：200903031496890122
半導体受光素子およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-220713
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064405
出願日： 1995年08月29日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：
【要約】【課題】 周波数応答特性の向上できる半導体受光素子の提供。【解決手段】 n+ -InGaPの基板10の第1主表面上に、n+ -InPのバッファ層12、n- -InGaAsの光吸収層14およびn- -InPのウインド層16が順次に積層されている。そして、このウインド層16上に、開口部18を有するSi3 N4 の絶縁膜20を具え、この開口部18に露出しかつウインド層16と光吸収層14との境界22に達するp+ の拡散領域24を具えている。また、この開口部18の周辺部に、この拡散領域24と電気的に接続したP側電極としての周囲電極26を具えている。そして、この発明の半導体受光素子では、この周囲電極26の一部分に、絶縁膜20から浮き上がって張り出した空間電極部38を具えている。
請求項（抜粋）：
第1導電型の基板の第1主表面の上側に、第1導電型の光吸収層および第1導電型のウインドウ層が順次に積層されており、該ウインド層上に、開口部を有する絶縁膜を具え、該開口部に露出しかつ前記ウインド層と前記光吸収層との境界に達する第2導電型の拡散領域を具え、前記開口部の周辺部に、該拡散領域と電気的に接続した周囲電極を具えてなる半導体受光素子において、該周囲電極の一部分に、前記絶縁膜から浮き上がって張り出した空間電極部を具えてなることを特徴とする半導体受光素子。
FI (2件)：
H01L 31/10 H
, H01L 31/10 A
