特許

J-GLOBAL ID：200903031498154903

薄膜多層回路基板および薄膜多層回路基板の製造方法

発明者： 富沢 茂
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 綿貫 隆夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-015832
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216288
出願日： 1999年01月25日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：

【要約】【課題】 サイドエッチングやエッチング残渣の再付着の生じない薄膜多層回路基板の製造方法および薄膜多層回路基板を提供する。【解決手段】 パッド17上に、ろう材20が濡れにくい材質からなる耐蝕めっき層18を形成するめっき工程と、耐蝕めっき層18上に保護めっき層19を形成するめっき工程と、パッド17が存在する絶縁層10のエリアの全面にエッチングレジスト層25を形成し、該エッチングレジスト層25にリング状の非貫通穴26を形成して、保護めっき層19の周縁部をリング状に露出させるマスク形成工程と、エッチングレジスト層25をマスクとして非貫通穴26内に露出する保護めっき層19を除去して、耐蝕めっき層18をリング状に露出させるエッチング工程と、エッチングレジスト層25を除去する工程と、リング状に露出した耐蝕めっき層18をダム部として、耐蝕めっき層18の内側の保護めっき層19上にろう材20によりI/0ピン21を接合する工程とを含むことを特徴としている。

請求項（抜粋）：

最表層の絶縁層上に内層の配線パターンと電気的に導通して形成されたパッド上にI/0ピンがろう材により接合された薄膜多層回路基板において、前記パッド上に前記ろう材が濡れにくい材質からなる耐蝕めっき層が形成され、該耐蝕めっき層の中心部および周縁部の部位に保護めっき層が形成され、前記リング状に露出した耐蝕めっき層を前記ろう材のダム部として前記中心部に形成された保護めっき層上に前記ろう材により前記I/0ピンが接合されたことを特徴とする薄膜多層回路基板。

IPC (3件)：

H01L 23/12 ,  C25D 7/12 ,  H05K 3/46

FI (4件)：

H01L 23/12 K ,  C25D 7/12 ,  H05K 3/46 E ,  H01L 23/12 P

Fターム (28件)：

4K024AA03 ,  4K024AA09 ,  4K024AA24 ,  4K024AB03 ,  4K024AB08 ,  4K024BA12 ,  4K024BB11 ,  4K024FA07 ,  5E346AA02 ,  5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA35 ,  5E346BB16 ,  5E346CC10 ,  5E346CC17 ,  5E346DD03 ,  5E346DD24 ,  5E346DD33 ,  5E346DD47 ,  5E346EE33 ,  5E346FF17 ,  5E346FF34 ,  5E346GG15 ,  5E346GG17 ,  5E346GG19 ,  5E346GG22 ,  5E346GG23 ,  5E346HH08