特許

J-GLOBAL ID：200903031505523383

絶縁膜の形成方法

発明者： 長谷川 利昭
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-082586
公開番号（公開出願番号）：特開平9-275102
出願日： 1996年04月04日
公開日（公表日）： 1997年10月21日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置の層間絶縁膜の低誘電率化と長期信頼性の向上とを両立させる。【解決手段】 SiOF膜5を成膜した後、水素プラズマ処理または水素化アニールを行って、少なくともSi原子との結合状態が不安定でH2 O との反応性が高いF原子を除去する。F原子は、通常のSiOx膜のネットワーク構造中で格子振動の大きい5員環や6員環を構成するSi-O結合を切断し、Si原子の切れた結合手を終端させ、エネルギー的に最も安定な4員環構造を増やす。F原子を含むことによりSiOx膜の誘電率が低下するのはこの4員環構造の増加により膜のイオン分極率が低下するからであり、F原子自身の効果ではないと考えられるので、成膜終了後のF原子は不要である。本発明で得られる改質SiOF膜5mは、低誘電率と高耐湿性とを兼ね備えている。

請求項（抜粋）：

膜構造の決定に関与する原子を取り込ませながら絶縁膜を基板上に成膜する第1工程と、前記絶縁膜中に取り込まれた前記原子の少なくとも一部を除去する第2工程とを少なくとも1回ずつ有する絶縁膜の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/316

FI (5件)：

H01L 21/31 C ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/302 A ,  H01L 21/95