特許

J-GLOBAL ID：200903031511727764

シリコン積層体とその製造方法

発明者： 藤本 健治
出願人/特許権者： 東燃株式会社
代理人 (1件)： 久保田 耕平 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-347769
公開番号（公開出願番号）：特開平6-192836
出願日： 1992年12月28日
公開日（公表日）： 1994年07月12日
要約：

【要約】【目的】 太陽電池や光センサ等にそのまま適用できる低コストのシリコン積層体とその製造方法を提供すること。【構成】 このシリコン積層体10は、モリブデンから成る耐熱性金属基材11と、この表面に形成されたニッケルから成る導電性下地膜12と、この上に製膜された多結晶シリコン膜13とで構成されている。そして、このシリコン積層体10を太陽電池等に適用する場合、上記耐熱性金属基材11を電力取出し用の裏面電極として機能させることができるため、従来のものと相違して多結晶シリコン膜の一部に別体の裏面取出し電極等を予め設けることなく太陽電池等にそのまま適用可能となる。従って、シリコン積層体における構造の簡略化が図れると共に光センサ等他の用途への適用も可能になるため汎用性の改善が図れる。また、単結晶シリコン基板に変えて金属基材が適用されているためコストの低減も図れる。

請求項（抜粋）：

耐熱性金属基材と、カーボン、金属、ZrB2 若しくはTiB2 の導電性セラミックス、シリコン、シリサイド、炭化シリコン、及び、サーメットから選択された導電性材料より成り上記金属基材の表面に形成された導電性下地膜と、この導電性下地膜上に製膜された多結晶シリコン膜とで構成されることを特徴とするシリコン積層体。

IPC (2件)：

C23C 16/24 ,  H01L 31/04