半導体レーザ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-275647
公開番号（公開出願番号）：特開平6-125135
出願日： 1992年10月14日
公開日（公表日）： 1994年05月06日
要約：

【要約】【目的】量子井戸構造を含む活性層を備えた半導体レーザに関し、伝導帯と価電子帯における量子準位のエネルギを独立して調整し、発振波長をより細かく制御することのできる量子井戸レーザを提供することを目的とする。【構成】 1つの量子井戸における伝導帯の量子井戸幅と価電子帯の量子井戸幅が異なる値を有する量子井戸構造を含む活性層を有する。

請求項（抜粋）：

1つの量子井戸における伝導帯の量子井戸幅(LWC)と価電子帯の量子井戸幅(LWV)が異なる値を有する量子井戸構造を含む活性層を有する半導体レーザ。

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