特許

J-GLOBAL ID：200903031514065940

基板表面処理方法及びその装置

発明者： 梅谷 正昭
出願人/特許権者： 株式会社エムティジェー
代理人 (1件)： 黒田 勇治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-390316
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197606
出願日： 2001年12月21日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：

【要約】【課題】 セラミック体の多孔質性により処理用ガスを分散して拡散導入することができ、容器体内の処理用ガスの均一化を図ることができ、処理用ガスの均一化により容器体内に発生するプラズマのプラズマ密度の均一化を図ることができ、基板表面の処理むらを抑制して処理品質を高めることができると共に処理速度を高めて作業性を向上することができる。【解決手段】 ガス導入部2を介して処理用ガスGが導入される容器体1と、容器体の内外に対向配置された一対の電極4・5と、一対の電極間に電界を印加することにより容器体内にプラズマPを発生させるプラズマ発生手段7と、容器体内に発生したプラズマを該容器体の外に配置されている処理すべき基板の表面に放出可能な放出口部3とを備え、ガス導入部から容器体内に導入される処理用ガスが通過するセラミック体9を具備してなる。

請求項（抜粋）：

容器体内にガス導入部を介して処理用ガスを導入し、該容器体の内外に対向配置された一対の電極間に電界を印加することにより該容器体内にプラズマを発生させ、該容器体内に発生したプラズマを放出口部より容器体の外に放出し、該容器体内から放出されるプラズマにより基板の表面を処理するに際し、上記ガス導入部からの処理用ガスをセラミック体を介して上記容器体内に導入することを特徴とする基板表面処理方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 ,  B05D 3/04 ,  G02F 1/13 101 ,  G02F 1/1333 500 ,  H01L 21/304 645

FI (5件)：

B05D 3/04 C ,  G02F 1/13 101 ,  G02F 1/1333 500 ,  H01L 21/304 645 C ,  H01L 21/302 B

Fターム (27件)：

2H088FA17 ,  2H088FA21 ,  2H088HA01 ,  2H090JB02 ,  2H090JB04 ,  2H090JC09 ,  2H090JC19 ,  4D075BB44Y ,  4D075BB45Y ,  4D075BB49Y ,  4D075BB54Y ,  4D075CA35 ,  4D075CA36 ,  4D075CA37 ,  4D075DA06 ,  4D075DB13 ,  4D075DC24 ,  4D075EA45 ,  5F004AA14 ,  5F004BA03 ,  5F004BB17 ,  5F004BB28 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB13 ,  5F004DB26 ,  5F004EB02