特許
J-GLOBAL ID:200903031516623037

誤り訂正手段を備えた記憶装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 富田 和子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-159613
公開番号(公開出願番号):特開2000-349652
出願日: 1999年06月07日
公開日(公表日): 2000年12月15日
要約:
【要約】【課題】 十分なデータ信頼率が得られるとともに、メモリチップの記憶素子のデータ信頼率の変化に柔軟に対応することができる記憶装置を提供する。【解決手段】 メモリチップ102とインターフェースLSI106とを備えたフラッシュメモリカード501において、メモリチップ102に内部ECC回路104を設け、インタフェースLSI106に、外部ECC回路1061を設ける。そして、積符号による符号化を行う際は、まず、外部ECC回路1061によって外符号化を行い、更に、内部ECC回路104によって内符号化を行う。また、データ読み出し時は、内部ECC回路104によって内符号の復号を行い、行データの信頼性情報をメモリチップ102の外部に出力する。外部ECC回路1061は、外符号の復号を行う場合、行データの信頼性情報を利用して復号を行う。
請求項(抜粋):
データを記憶する記憶手段と、当該記憶手段に対するデータの読み書きを制御する制御手段とを備えた記憶装置であって、前記記憶手段は、データを格納するメモリ手段と、当該メモリ手段に書き込むデータの誤り訂正符号化を行い、また、前記メモリ手段から読み出したデータの誤り検出及び誤り訂正を行う内部ECC手段とを備え、当該内部ECC手段によって行った誤り訂正に関する信頼性情報を出力し、前記制御手段は、前記記憶手段に書き込むデータの誤り訂正符号化を行い、また、前記記憶手段から読み出したデータの誤り検出及び誤り訂正を行う外部ECC手段を備え、当該外部ECC手段は、前記記憶手段から出力された信頼性情報を利用して誤り訂正を行うことを特徴とする記憶装置。
IPC (3件):
H03M 13/00 ,  G11B 20/18 550 ,  G11B 20/18 572
FI (3件):
H03M 13/00 ,  G11B 20/18 550 C ,  G11B 20/18 572 Z
Fターム (9件):
5J065AA01 ,  5J065AB01 ,  5J065AC03 ,  5J065AD03 ,  5J065AD04 ,  5J065AD11 ,  5J065AD13 ,  5J065AF02 ,  5J065AH06

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