特許
J-GLOBAL ID:200903031516750853

高周波用磁性体材料およびそれを用いた高周波回路素子

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-229566
公開番号(公開出願番号):特開2003-146739
出願日: 2002年08月07日
公開日(公表日): 2003年05月21日
要約:
【要約】【課題】 数100MHz〜数GHz帯で使用でき、1100°C以下、さらに1000°C以下の温度で焼成可能で、相対X線密度90%以上のものが得られる高周波用磁性体材料、およびこれを用いた高周波回路素子を提供する【解決手段】 高周波用磁性体材料は、(1-a-b)(Ba<SB>1-x</SB>Sr<SB>x</SB>)O・aMeO・bFe<SB>2</SB>O<SB>3</SB>(但し、Meは、Co、Ni、Cu、Mg、MnおよびZnから選ばれた少なくとも1種)を主成分組成とし、かつ、Y型またはM型六方晶フェライトを主要相とする磁性体材料であって、0.205≦a≦0.25、0.55≦b≦0.595、0≦x≦1、2.2≦b/a<3である。
請求項(抜粋):
(1-a-b)(Ba<SB>1-x</SB>Sr<SB>x</SB>)O・aMeO・bFe<SB>2</SB>O<SB>3</SB>(但し、Meは、Co、Ni、Cu、Mg、MnおよびZnから選ばれる少なくとも1種)を主成分組成とし、かつ、Y型またはM型六方晶フェライトを主要相とする磁性体材料であって、0.205≦a≦0.25、0.55≦b≦0.595、0≦x≦1、2.2≦b/a<3であることを特徴とする、高周波用磁性体材料。
IPC (3件):
C04B 35/26 ,  H01F 1/34 ,  H01F 17/00
FI (3件):
H01F 1/34 K ,  H01F 17/00 D ,  C04B 35/26 G
Fターム (14件):
4G018AA07 ,  4G018AA09 ,  4G018AA10 ,  4G018AA21 ,  4G018AA22 ,  4G018AA23 ,  4G018AA24 ,  4G018AA25 ,  4G018AB05 ,  5E041AB12 ,  5E041AB14 ,  5E041CA10 ,  5E070AA01 ,  5E070CB13
引用特許:
審査官引用 (6件)
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