特許
J-GLOBAL ID：200903031519744030
半導体充電制御装置
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-179919
公開番号（公開出願番号）：特開平6-022470
出願日： 1992年07月07日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：
【要約】【目的】 車両用発電機の界磁電流を半導体パワースイッチング素子でPWM制御した場合に、スイッチングノイズや外乱によってスイッチング周波数が一時的に高周波化し、スイッチング損失や電磁誘導ノイズが増加することを防止するための、回路規模が小さく集積化に最適な半導体充電制御装置を提供すること。【構成】 PWM発生回路2からのPWMの基本パルス1aによって動作するラッチ回路1を設け、界磁電流制御用の半導体パワースイッチ52を駆動するPWMのパルス変化を制限するようにしたもの。【効果】 スイッチング周波数がPWM周波数以上になることが抑えられ、高速スイッチングによる半導体パワースイッチのスイッチング損失と、電磁誘導ノイズを低減できる。
請求項（抜粋）：
出力端子に蓄電池が接続された発電機と、この発電機の界磁電流をオンオフ制御する半導体パワースイッチング素子を備え、前記蓄電池の端子電圧に応じて前記半導体パワースイッチング素子をオンオフ制御する方式の半導体充電制御装置において、前記半導体パワースイッチング素子のオンオフ動作周波数を所定値以下に制限する安定化回路手段が設けられていることを特徴とする半導体充電制御装置。
IPC (2件)：
前のページに戻る
