基板処理装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：田宮寛祉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-152992
公開番号（公開出願番号）：特開平10-330944
出願日： 1997年05月27日
公開日（公表日）： 1998年12月15日
要約：

【要約】【課題】熱CVD装置やプラズマCVD装置等の基板処理装置において、基板上で対称なガスの流れを実現し、さらに構造を簡素化し、付着した不要な膜の除去を容易とし、メンテナンス性を向上する。【解決手段】基板保持体13とこれに対向するシャワー電極14を備える処理チャンバ11と、この処理チャンバの内部を排気する排気機構30と、シャワー電極を通して処理チャンバの内部に反応ガスを導入する反応ガス供給機構24と、シャワー電極に高周波電力を与える高周波電源27を含み、さらに、処理チャンバの側壁に形成された接続口31に上記排気機構を接続し、シャワー電極と基板保持体の間の空間を相対的に狭くして、シャワー電極および基板保持体と処理チャンバの側壁との間のコンダクタンスを、シャワー電極と基板保持体の間のコンダクタンスよりも大きくする。

請求項（抜粋）：

基板保持体とこれに対向するガス導入電極を備える処理チャンバと、この処理チャンバの内部を排気する排気機構と、前記ガス導入電極を通して前記処理チャンバの内部に反応ガスを導入する反応ガス供給機構と、前記ガス導入電極に高周波電力を与える高周波電源を含む基板処理装置において、前記処理チャンバの側壁に形成された接続口に前記排気機構を接続し、前記ガス導入電極と前記基板保持体の間の空間を相対的に狭くして、前記ガス導入電極と前記基板保持体の間のコンダクタンスを、前記ガス導入電極および前記基板保持体と前記処理チャンバの前記側壁との間のコンダクタンスよりも小さくした、ことを特徴とする基板処理装置。

IPC (5件)：

C23C 16/44 , C23C 16/50 , C23F 4/00 , H01L 21/205 , H01L 21/3065

FI (5件)：

C23C 16/44 D , C23C 16/50 , C23F 4/00 A , H01L 21/205 , H01L 21/302 N

引用特許：

出願人引用 (6件)

シリコン酸化膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-199821 出願人：セイコーエプソン株式会社, アプライドコマツテクノロジー株式会社
基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-248434 出願人：株式会社東芝
薄膜形成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-248781 出願人：松下電器産業株式会社

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審査官引用 (6件)

シリコン酸化膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-199821 出願人：セイコーエプソン株式会社, アプライドコマツテクノロジー株式会社
基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-248434 出願人：株式会社東芝
薄膜形成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-248781 出願人：松下電器産業株式会社

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