不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：安富耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-229515
公開番号（公開出願番号）：特開平11-067940
出願日： 1997年08月26日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：

【要約】【課題】優れたデータ保持特性を有し、歩留まりが高く、長寿命な不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】フローティングゲートにドープする不純物に中央層で高い濃度分布をもたせることにより、絶縁膜中に不純物が偏析することを抑止し、トラップサイトの生成、リーク電流や、絶縁破壊を防止する。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、該半導体基板上に第1の絶縁膜を介してシリコン膜に不純物を添加して形成されたフローティングゲートと、該フローティングゲートを被覆する第2の絶縁膜と、該フローティングゲートの少なくとも上部の一部上に前記第2の絶縁膜を介して形成されたコントロールゲートとを備えた不揮発性半導体記憶装置において、前記フローティングゲートの不純物濃度は、前記フローティングゲートの上層及び下層では低く、中央層では高い濃度分布を持つことを特徴とした不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

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