半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-079398
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274233
出願日： 1998年03月26日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】高密度化実装に対応することのできる、多ピン構造の半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体チップ1の表面の周辺部に配置されるパッド2に対して、一つおきにボール端子3が電気的に接着され、このボール端子3が接着されないパッド2に対しては、一つおきにTAB4が電気的に接着される。TAB4は、半導体チップ1の側面に沿って「コ」の字状に形成されて、その端末は、裏面の周辺部に接着固定され、当該TAB4の端末に対しては、裏面に配置されるボール端子3が、それぞれ電気的に接続されて装着される。このように、半導体チップ1の両面に、それぞれ対応するパッド2に接続されるボール端子3を配置することにより、半導体チップ1の両面において、それぞれボール端子3を外部に対する接続用の端子として機能させることができる。

請求項（抜粋）：

半導体チップの周辺部に配置されるパッドを第1群のパッドと第2群のパッドに区分して、前記第1群に含まれる各パッドに電気的に接続される第1群の入出力端子を設けるとともに、前記第2群に含まれる各パッドに電気的に接続されて引き出される配線材を設け、当該配線材を半導体チップの側面を介して当該半導体チップの背面に延伸して設定し、当該背面において、前記配線材の各端末に電気的に接着される第2群の入出力端子を形成することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/60 311 , H01L 21/60 , H01L 23/12

FI (3件)：

H01L 21/60 311 R , H01L 21/60 311 Q , H01L 23/12 L

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