特許

J-GLOBAL ID：200903031527533706

半導体装置

発明者： 丹生谷 貴行 ,  永田 寿幸
出願人/特許権者： 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
代理人 (1件)： 佐々木 聖孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-261586
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094594
出願日： 1993年09月24日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：

【要約】 (修正有)【構成】 共通のソース領域43a、43bに隣接して、この共通のソース領域とツェナーダイオードZD1 、ZD2 を形成する逆導電型の半導体領域71a1、71b1が形成され、このツェナーダイオードが前記共通のソース領域と電源Vssとの間に接続されるように構成した櫛形のマルチゲート型の大型MOSトランジスタ。【効果】 駆動時の実効的なしきい値の上昇を抑制し、駆動電流を増大させることができ、特に大容量の負荷を駆動する例えば櫛形のマルチゲート型大型MOSトランジスタに好適な構造を提供できる。また、駆動電流を増大させないで駆動するデバイスでは、レイアウトを縮小でき、その微細化にも有利となる。また、半導体領域71a1、71b1をソース領域の電源と半導体基板との間に接続し、半導体基板の電位を固定するのに用いることによって、デバイスの集積度を向上させ、その微細化を図ることができる。

請求項（抜粋）：

ソース領域と、ドレイン領域と、これら両領域間にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極とからなる絶縁ゲート型電界効果半導体素子を複数個有し、これらの絶縁ゲート型電界効果半導体素子に共通にソース領域が設けられ、この共通のソース領域に隣接してこの共通のソース領域とは逆導電型の半導体領域が形成されており、前記共通のソース領域と前記半導体領域との間にツェナーダイオードが形成され、このツェナーダイオードが前記共通のソース領域と電源との間に接続されるように構成した半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/8234 ,  H01L 27/088

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭64-077157
  
• 特開昭64-077157